WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаФізика → Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням - Реферат

Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням - Реферат

інжектованих носіїв у збільшення інтегральної провідності напівпровідника набагато перевищує внесок носіїв, збуджених світлом. У якості критерію ефективності ІФД проводять порівняння його чутливості з фоточутливістю аналогічного (еквівалентного) фоторезистора, виготовленого з того ж матеріалу, що і база діода, і що має ті ж геометричні розміри.
Коефіцієнт інжекційного підсилення (відношення фоточутливостей ІФД і фоторезистора) можна уявити у вигляді добутку Kіп = KjKg. Тут Kj відбиває внесок у повне інжекційне підсилення компоненти, обумовленої внутрішнім позитивним зворотним зв'язком; Kj характеризує розходження в крутизні ВАХ інжекційного діода й аналогічного фоторезистоpa. Якщо ділянка ВАХ S-діода поблизу точки зриву, де крутизна велика, достатньо стійкий, то і підсилення Kj може бути великим. Воно реалізується як при власній, так і при примісній засвітці.
Величина Kg характеризує підсилення, обумовлене безпосередньо впливом засвітки на параметри розподілу незрівноважених носіїв у базі. Тому його називають "параметричним" підсиленням .Особливо сильно воно виявляється при примісній засвітці.
За рахунок підсилення за допомогою позитивного зворотного зв'язку (Kj) не можна домогтися збільшення добротності фотодіода (твір коефіцієнта підсилення на смугу пропускання), тому що разом із фотовідповіддю в Kj раз зростає інерційність. Збільшення добротності можна домогтися в принципі лише при параметричному підсиленні.
Інжекційне підсилення при -механізмі фотопровідності може виявлятися при дії власної і примісної засвіток і пов'язане з перезарядженням примісних рівнів в базі діода. Існує критична інтенсивність оптичної генерації gкр, така, що при g gкр, провідність бази істотно зростає і суттєвим стає падіння напруги на p-n-переході. Напруга при цьому слабко залежить від інтенсивності засвітки, а струм зриву помітно збільшується з ростом g .
Зневажаючи падінням напруги на p-n-переході, коефіцієнт підсилення можна записати у вигляді: Kіп = Ізр0 / (Ізр0 - І) де Ізр0 - щільність cтруму зриву за відсутності освітлення. Поблизу точки зриву Kg = 2, Kj = 0,5 Ізр0 / (Ізр0 - І). При І ? Ізр0 підсилення може бути дуже великим.
Інжекційне підсилення при примісній засвітці. Існує принципове розходження при впливі власної і примісної засвіток на фізичні процеси в діодах із довгою базою на основі високоомних компенсованих напівпровідників. Аналіз загального рівняння біполярного переносу показує, що параметри, які визначають розподіл незрівноважених носіїв у базі (біполярна рухливість , біполярний коефіцієнт дифузії D і ін.), явно залежать лише від характеру примісної засвітки і концентрації неосновних носіїв. "Параметричне" інжекційне підсилення при дії світла, слабкого за інтенсивністю, реалізується навіть за відсутності будь-якого помітного перезарядження глибоких центрів.
Дрейфове наближення переносу носіїв справедливе, якщо довжина бази діода більш ніж на порядок перевищує довжину дифузійного зсуву. Примісна засвітка збільшує і тим самим сприяє зростанню глибини протягання інжектованих носіїв вглиб бази за допомогою дрейфу в електричному полі.
На порівняно пологій ділянці ВАХ примісний фотострум ІФД, як і темновий струм, описується квадратичною залежністю струму від напруги (І ~ U2), для еквівалентного фоторезистора ця залежність лінійна (мал. 2.2). Компонента коефіцієнта інжекційного підсилення Кj 2. Повний коефіцієнт інжекційного посилення Кіп ~ , тому що Кіп ~ U. При досить великих напругах значення Кіп може бути дуже великим (102 і більше). Чинниками, що обмежують коефіцієнт підсилення зверху, є різні механізми інжекційного пробою.
Мал. 2.2. Струмова фоточутливість Si(U) BAX ІФД з
Ge (криві 1 і 3) і аналогічного фоторезистора
(криві 2,4) при примісній засвітці (Т = 77К)
Фотоелектричне підсилення в повному вигляді можна висловити рівністю:
Kф ? 2 ,
де tp і tn - часи прольоту дірок і електронів через базу; p/tp - коефіцієнт підсилення еквівалентного фоторезистора (матеріал бази діода - напівпровідник p-типу); відношення n/tn відображає інжекційне підсилення діода стосовно чутливості фоторезистора.
Розігрів носіїв електричним полем може призводити до появи на ВАХ діода ділянки постійної напруги (вертикаль). При цьому стаціонарний примісний фотострум настільки сильно зростає, що виникає його додаткове (в порівнянні з випадком відсутності польового розігріву) інжекційне підсилення, що може складати декілька порядків. У цьому випадку в умовах інжекційного пробою напівпровідника, коли відбувається різке збільшення фоточутливості, при модуляції примісного світла частота спаду фотоструму обернено пропорційна сталому струмові і істотно залежить від відношення часу життя носіїв.
Поглинання світла інжектованими носіями в p-i-n-структурах також супроводжується інжекційним підсиленням. Падаюче випромінювання за рахунок світлового розігріву носіїв змінює параметри Dn, Dр, n, p, n, p. Підсилення фотоструму при цьому може досягати декількох порядків.
Фотодіоди з інжекційним підсиленням перспективні для створення високоефективних фотоелектричних пристроїв, чутливих практично у всіх областях оптичного спектру. ІФД відрізняються гарними граничними характеристиками. Використання їх можливе як в аналоговому, так і в дискретному режимах.
Кількість матеріалів, у яких спостерігалося інжекційне підсилення, дуже велика. Це, наприклад, германій, компенсований Au, Hg, Сu і ін., кремній що має глибокі рівні Zn, В і ін. Інжекційне підсилення вивчалося в діодах на основі бінарних з'єднань і твердих розчинів. В залежності від ширини забороненої зони напівпровідника і глибини залягання домішок ІФД можуть працювати як при кімнатній, так і при більш низьких температурах.
Значна частина досліджень проведена для ІФД, чутливих у ІЧ області спектру(наприклад, діоди на основі Ge, InSb). Проте виявлені закономірності інжекційного підсилення в основних рисах поширюються і на діоди на основі широкозонних матеріалів, чутливі в більш короткохвильовій області спектру.
Фотоприймачі з інжекційним підсиленням перспективні для використання у функціональних вузлах мікроелектронної апаратури (S-діоди), в пристроях криоелектроніки. Чутливістю інжекційних фотоприймачів можна керувати, використовуючи спільну дію світла і магнітного поля. Фоточутливість можна підвищити, створюючи в базі градієнт концентрації домішок або роблячи ІФД складовою частиною біполярного або одноперехідного транзистора.
ЛАВИННІ ФОТОДІОДИ
Широкий розвиток лазерної техніки викликав необхідність створення швидкодіючих фотодетекторів, що мають високу чутливість до світла з визначеною довжиною хвилі і мають властивості вутрішнього підсилення. Лавинні фотодіоди (ЛФД) широко використовуються для реєстрації і вимірювання в різноманітних системах опрацювання оптичної інформації, виявлення слабких випромінювань, зоряної орієнтації і навігації та ін. Найбільш широко розвинуте застосування ЛФД у волоконно-оптичних лініях зв'язку (ВОЛЗ). ЛФД на основі кремнію мають внутрішнє підсилення до 103, високу чутливість (до 100 А/Вт) на довжині хвилі =0,9 мкм, малу інерційність (~0,5 нс), низький поріг (до 10-15 Вт?Гц-1/2).
Ефекти лавинного множення у напівпровідниках.
У звичайному фотодіоді при поглинанні світла виникають електронно-діркові пари, причому при поглинанні одного
Loading...

 
 

Цікаве