WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаНаукознавство → Нобелівський лауреат Джек Кілбі (Kilby) - Реферат

Нобелівський лауреат Джек Кілбі (Kilby) - Реферат


Реферат на тему:
Нобелівський лауреат Джек Кілбі (Kilby)
за внесок у винахід інтегральних схем
роки життя: 1923 - 2005 рр.
Американський фізик Д.Кілбі народився 1923 р. у Джефферсон-Сіті (США). Початком сучасної напівпровідникової ери можна вважати відкриття Дж.Бардіним, В.Браттейном і В.Шоклі (Нобелівська премія 1956 р.) транзисторного ефекту (1947). За декілька років транзистор усунув вакуумні лампи завдяки істотно меншим розмірам і заощадженню енергії. Замість кількох тисяч компонентів у вакуумних трубах з'явилися електронні системи з декількома десятками тисяч компонентів на транзисторах, але також з'єднаних між собою припаяними дротиками. Істотним кроком вперед був перехід від германієвого транзистора до кремнієвого. Перевага останнього - вища температурна і радіаційна стабільність та наявність міцного окису, що утворює в приладах необхідні діелектричні прошарки. 1958 р. Д.Кілбі починає працювати в лабораторії компанії "Тексіс Інструментс" у Далласі, де продемонстрував можливості виготовлення всіх дискретних елементів, включаючи й пасивні, на кремнії як базовому матеріалі, а у вересні цього ж року він продемонстрував найпростішу інтегральну схему, виготовлену на кристалі германію. У лютому 1959 р. Кілбі подав патентну заявку на інтегральну схему, за якою транзистор мав виготовлятися за дифузійною технологією, що давало б можливість одержувати в перпендикулярному до поверхні напрямку p-n-p почерговішари. Для електричного підключення до кожного з шарів (еміттера, бази колектора) було потрібно локальне втравлювання. Транзистори і пасивні елементи з'єднувалися золотими дротами, хоча в патенті згадана можливість створення контактів напилюванням золотих смужок на попередньо підготовлений шар діелектрика. Впродовж 1978-1985 рр. він є професором Техаського університету A&M. Нині досягнуто значного прогресу в одержанні зроблених гетероструктур на парі Si-Ge та їх сполук. Біполярні гетеротранзистори з еміттером і колектором із кремнію та базою зі сплаву Ge Si працюють до частот 120 Ггц, уже налагоджено випуск інтегральних схем. Д.Кілбі відзначений Нобелівською премією з фізики 2000 р. "за внесок у винахід інтегральних схем". Мікроелектроніка, яка зросла на цьому фундаменті, стала основою сучасних технологій, і тепер на мікрочипах випускається найширший асортимент електронних апаратів - від годинників до потужних комп'ютерів, здатних керувати космічними зондами чи розв'язувати завдання медичної діагностики.
Література:
1. Альфред Нобель. Шведський інститут, 2004 р.
2. Нобелівська премія перші 100 років.
3. Альфред Нобель і Нобелівські премії.
4. http://www.nobel.org.ua/
5. http://www.peoples.ru/finans/undertake/nobel/index2.html
Loading...

 
 

Цікаве