WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Технологія формування та вимірювання параметрів си-ліцидних плівок для структур ВІС - Курсова робота

Технологія формування та вимірювання параметрів си-ліцидних плівок для структур ВІС - Курсова робота

нанесення їх з газової фази) показало, що хоча жоден з цих методів не можна рахувати абсолютно найкращим, але найбільш перспективний в даний час метод одночасного магнетронного розпилення металу і кремнію.
Таким чином, від досконалості технологічних процесів нанесення тон-ких плівок у значній мірі залежать надійність і якість виробів мікроелектроніки, технічний рівень і економічні показники їхнього виробництва.
При нанесенні тонких плівок дуже важливо строго дотримуватися еле-ктронно-вакуумної гігієни. Забруднення у виді домішкових хімічно активних газів, що попадають на поверхню оброблюваних підкладок, як при проведенні технологічних операцій, так і при між-операційному транспортуванні і збереженні, можуть істотно змінювати структуру і електрофізичні властивості шарів, що наносяться. Осідання дрібних частинок пилу може призвести до необоротного дефекту плівкових структур - обривів і замикань міжз'єднань. Тому устаткування для нанесення тонких плівок звичайно встановлюють у чистих кімнатах - гермозонах, а обслуговуючий його персонал повинен стежити за чистотою робочого місця і технологічної тари, а також обов'язково працювати у спецодязі.
6. Одержання високоякісних плівок із заздалегідь заданими і відтворюваними параметрами визначає необхідність строгого контролю при їхньому нанесенні. Особливості контролю параметрів тонкоплівкових елементів визначаються малими товщинами нанесених плівок (від декількох десятків до сотень нанометрів). Параметри плівок безпосередньо контролюють у процесі їхнього нанесення у вакуумній робочій камері і після нанесення, тобто поза камерою. Найбільш важливий контроль у камері, тому що в залежності від його результатів регулюються режими процесу росту плівки, що дозволяє усунути операції припасування її параметрів після нанесення.
Товщину плівок вимірюють такими найбільш розповсюдженими мето-дами, як мікро зважування і багато променева інтерферометрія. Метод багато променевої інтерферометрії, який застосовується для вимірювання товщини непрозорих плівок, полягає у спостереженні в мікроскоп інтерференційних смуг, що виникають при розгляді в монохроматичному світлі двох поверхонь, розташованих під кутом одна до одної.
Електропровідність є однією з найважливіших характеристик силіцидів при оцінці якості матеріалу струмопроводячих систем ІС. Найбільш поширений метод вимірювання електропровідності-це чотирьохзондовий метод. У цьому випадку струм проходить між двома крайніми зондами. Також електричний опір плівок можна вимірювати резистивним датчиком із зовнішнім вимірювальним приладом. У основному цей метод використовується при контролі резисторів гібридних ІМС і він ґрунтується на тому, що в міру збільшення товщини плівки в процесі росту її опір зменшується.
Зчеплення поверхонь різнорідних тіл називають адгезією. Адгезія плі-вки до підкладки залежить від матеріалу плівки і швидкості її осідання, а також від чистоти поверхні і температури підкладки.
В даний час не існує доступних промислових методів високоточного вимірювання адгезії тонких плівок до підкладок. Тому виконують порівняльний контроль, при якому вимірюють зусилля відриву плівки від підкладки напаяним на її поверхню металевим циліндром.
Найбільш розповсюджений контроль швидкості нанесення плівок ме-тодом кварцового датчика, що іноді називають резонансно-частотним. Як датчик при цьому методі використовують включений у контур генератора частоти кварцовий елемент.
При формуванні тонких плівок слід враховувати таке явище, як напруження. Прогини підкладки можна визначати різними способами. Один із найпоширеніших-це за допомогою зафіксованого на оптичній осі лазерного променя вимірюється спричинене напруженням зміна радіуса кривизни. Цей не руйнуючий метод потребує підготовки зразка.
Реакційна здатність по відношенню до кисню довгий час привертало увагу вчених-дослідників. Вважали, що дисиліциди високо стабільні в окислюючи середовищах, хоча їх реакційна здатність сильно залежить від густини підготовлених зразків. Встановлено, що порошки окисляються швидше.
7. Розробники і виробники ВІС у субмікронній технології ВІС низку задач контролю і досліджень процесів і структур вирішують за допомогою даних про електрофізичні та електричні параметри тестового контролю (ТК). Область застосування ТК поширюється на всі етапи проектування, топології ВІС, розробки її технології та виготовлення структур кристалів, тобто охоплює всі етапи створення фізичної структури ВІС на Si-пластині.
Тестову структуру (ТС) визначають як певний мікроелектронний при-лад (приладну структуру), яку використовують для вимірювання елек-трофізичних параметрів фізичної структури (ФС ВІС). Тестові структури згідно поділяються на:
- ТС для оцінки густини дефектів;
- ТС для визначення електрофізичних параметрів структури ВІС;
- ТС для оцінки фотолітографічних і плазмохімічних процесів;
- ТС для оцінки і прогнозування електричних параметрів структур ВІС.
Тестові структури, як і їх елементи, мають конструктивні особливості залежно від функції схеми, технології формування її структури, проектних норм топології. Тестові структури дозволяють контролювати широкий спектр параметрів фізичної структури ВІС. При цьому не викликає проблеми при вимірюваннях параметрів самих приладних елементів (коефіцієнта підсилення, напруги пробою, опору резисторів, струмів втрат і т. д.), які вимірюються безпосередньо на самих елементах. Однак діапазон вимірюваних з допомогою ТС параметрів з метою їх використання при комп'ютерній обробці результатів вимірювань значно ширший.
Тестовий контроль дозволяє не тільки накопичувати статистичні дані по електрофізичним і електричним параметрам фізичних структур ВІС але дозволяє вводити межі відбракування на ці параметри і оцінювати якість сформованих структур з використанням автоматизованих системконтролю на базі тестерів Т-4503 або АИК-TEST.
8. Для контролю виробництва ВІС використовується широкий арсенал аналітичних методів контролю в процесі формування структур кристалів. широке використання моніторингу фізико-хімічних методів, збільшення діапазону можливостей вимірювальних приладів, забезпечення високих і точних метрологічних характеристик, які проводяться з їх допомогою, все частіше приводять до того, що аналітичний прилад контролю стає частиною технологічного обладнання.
Існує багато традиційних методів контролю складу поверхні, які ґру-нтуються на використанні хімічного або електрохімічного травлення з на-ступним визначенням складу розчину. Однак основний арсенал сучасних методів контролю поверхні і технологічних шарів у субмікронній техно-логії ВІС повинні складати методи спектрометрії. Всього на сьогоднішній день відомо до 60 методів.
Для діагностування надійності структур ВІС розроблена низка елект-рофізичних методів діагностування по не лінійностям вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик приладних структур: біполярних і польових транзисторів, МОН- і тонко плівкових конденсаторів.
Loading...

 
 

Цікаве