WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Технологія формування та вимірювання параметрів си-ліцидних плівок для структур ВІС - Курсова робота

Технологія формування та вимірювання параметрів си-ліцидних плівок для структур ВІС - Курсова робота


Курсова робота
Технологія формування та вимірювання параметрів си-ліцидних плівок для структур ВІС
Зміст
Вступ................................................................................4
Розділ 1. Властивості, застосування силіцидів і методи утворення тонких плівок...............................6
1.1Фізико-хімічні властивості силіцидів.....................6
Розділ 2. Основні методи формування силіцидних і поліцидних плі-вок.........................................................13
2.1Термоіонне осадження силіцидних плівок………_
2.2 Плазмохімічне травлення силіцидних і поліцидних міжз'єднань……………………………._
2.3 Формування плівок металу на кремнію…………._
2.4 Одночасне нанесення компонентів кремнію........._
2.5 Напилення дисиліцидної мішені............................._
2.6 Магнетронне напилення..........................................._
2.7 Метод випаровування..............................................._
2.8 Нанесення силіциду із газової фази........................._
2.9 Термічна обробка для утворення силіциду..........._
2.10 Нанесення кремнію при іонній імплантації.........._
Розділ 3. Контроль електрофізичних параметрів і технологічних режимів нанесення плівок при формуванні структур ВІС.............................................._
3.1 Вимірювання товщини плівок................................._
3.2 Вимірювання електричного опору плівок і його залежність від температури..........................................._
3.3 Вимірювання адгезії, конфомності осаджування силіцидних плі-вок..........................................................._
3.4 Вимірювання швидкості нанесення плівок............_
3.5 Вимірювання напружень, термічного коефіцієнта розширен-ня......................................................................_
3.6 Вимірювання швидкості окислення і травлення силіцидних плі-вок..........................................................._
Розділ 4. Тестовий контроль для параметричної оптимізації струк-тур......................................................._
4.1 Тестова структура Ван-дер-Пау.............................._
4.2 Комбінована тестова структура..............................._
4.3 Тестова структура для оцінки зсуву між двома провідними топологічними шарами.............................._
4.4 Спектрометрія силіцидних та поліцидних тонких плівок структур ВІС......................................................._
4.5 Електрофізичне діагностування надійності ВІС субмікронної техноло-гії.................................................._
Розділ 5. Економічна частина ......................................_
Розділ 6. Охорона праці і техніка безпеки...................._
Висновки........................................................................._
Список використаної літератури..............................._
Вступ
Можливість застосування силіцидів при виготовленні напівпровідникових приладів і мікросхем визначається не тільки необхідністю забезпечити потрібну якість затворів і контактних з'єднань, але і для співпадання зрештою технологічних сценаріїв. Базовими процесами інтеграції елементів транзисторних інтегральних схем є створення міжз'єднань і отримання малюнка за допомогою пла-змохімічного травлення нанесених шарів.
Традиційна транзисторна мікроелектроніка підійшла до фізичних і технологічних меж. Виникла проблема створення наноелементів, необхідно зменшити витрати енергії на нагрівання елементів.
Для досягнення цієї мети необхідно вводити нові методи виготовлення і технологій. Важливу роль відіграє і матеріал з якого виготовляють МДН ВІС: вони мають бути дешеві і витрати енергії на їх обробку теж мають бути мінімальними.
Економічність-елемент який визначає кінцевий вибір того чи іншого рішення.
Для досягнення цієї мети було досліджено велику кількість хімічних елементів і їх сполук (W, Si, P, Ge та ін.) (розділ 1.1). У даній роботі описано властивості елементів в нанотехнології. Подано властивості силіцидів та їх основні параметри, а також методи їх дослідження і технологічного контролю. Розроблено велику кількість установок для очищення цих елементів і установки для їх подальшого використання (розділ 1.3). Але кожен з описаних методів має свої переваги і недоліки.
Саме кремній є найкращим матеріалом для створення напівпровідникових схем. У розділі 2 розглянемо основні методи вимірювання електрофізичних параметрів силіцидних плівок. Розглянемо методи контролю за формуванням силіцидних плівок для субмікронної технології ВІС (розділ 3).
Наявність домішок утрудняють утворення стійкої фази-дисиліциду, а також перешкоджають зростанню зерен, що веде до підвищення температури його гомогенного утворення, а, отже, до підвищення питомого опору і погіршенню механічних властивостей. Крім того, наявність кисню в об'ємі силіциду порушує процес утворення в поверхні силіциду двоокису кремнію при нагріві в окислювальній атмосфері. Проте, якщо вдається значно понизити домішки кисню, то можна одержати, наприклад, методом розпилення з дисиліцидної мішені, властивості не гірші, ніж методом одночасного розпилення.
Утворення "полішару"- попередній і вимушений шлях застосування силіцидів тугоплавких металів в технології ВІС, тому що виключення підшару кремнію значно спрощує технологію. Тому можливість нанесення силіциду прямо на оксид - важлива умова при порівнянні методів утворення силіцидів. По цьому критерію безперечно відпадають методи нанесення металу на кремній і газофазний. Непридатними виявляються також силіциди молібдену і вольфраму при будь-якому методі утворення плівки, оскільки створення на поверхні таких плівок шару двоокису кремнію неможливе без підшару кремнію зважаючи на утворення нестійких оксидів вольфраму і молібдену.
Розділ 1. Фізико-хімічні властивості силіцидів
Силіцид, як матеріал для електродів МОН-транзисторних з'єднань і контактів, повинен мати наступні властивості:
низький питомий опір;
зручність виготовлення;
зручність травлення для утворення структури;
можливість окислення;
механічна стабільність, тобто хороша адгезія і низькі внутрішні напруження;
чистота поверхні;
стабільність при виготовленні приладу, включаючи високотемпературний відпал, сухе і вологе окислення, нанесення фосфорно-силікатного скла, пасивацію, металізацію і т. д.;
відсутність реакції з металом, що забезпечує остаточну металізацію, зокрема, з алюмінієм;
відсутність можливості забруднення приладів, пластин, апаратури;
хороші характеристики приладів, необхідний час відновлення;
для контактних вікон - низький контактний опір, максимальне проникнення.
Щоб задовольнити всім перерахованим вимогам були досліджені практично всі існуючі силіциди. У результаті було встановлено, що тільки силіциди тугоплавких металів і, в першу чергу, силіциди вольфраму, молібдену, танталу ітитану можуть бути рекомендовані для подальших досліджень, оскільки інші не задовольняють з перерахованим вимогам. За
Loading...

 
 

Цікаве