WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Дослідження процесу напилення металевого контакту методом магнетроного розпилення - Курсова робота

Дослідження процесу напилення металевого контакту методом магнетроного розпилення - Курсова робота

О - 4 мл
Al (NO3)3 - 18 гр
Сплавлення з
молібденом Молібден ВЧ
Продовження таблиці 5
Структура Операції Матеріали
Зняття першої
фаски Фтористоводнева
кислота, азотна
кислота з додаван-
ням води
Напилення алюмінію
(15 - 22 мкм) на анод-
ну сторону структури Алюміній марки
А999
Зняття другої
фаски Азотна кислота,
оцтова кислота,
фтористоводнева
кислота
Захист p - n
переходу Компаунд
КЛТ - 3
Збірка в корпус,
вакуумізація, гарме-тизація, маркіровка,
випробування Прижимні контак-ти: мідь 0,2 , срібло, родій
2.3 Визначення послідовності операцій технологічного процесу напилення
Першою операцією процесу напилення є підготовка елементу напівпровідни-кового шляхом травлення в фтористоводневій кислоті - проводиться в поліетілено-вії ємності. Протравити касету з елементами напівпровідниковими протягом 60 сек.
при кімнатній температурі. Після чого достати касету з елементами із ємності з фтористоводневою кислотою. Промити цю касету під діонізованою водою до нейт-ральної реакції РН=7. Потім просушити.
Другою операцією є безпосередньо напилення з метою створення омічного контакту при значенні вакууму 2 - 3 * 10-3 мм рт ст. Товщина напиленого шару по-винна бути 15 - 22 мкм.
Контроль поверхні напиленого шару - візуальний. Плівка повинна бути су-цільною та однакової товщини по всій поверхні.
Наступною операцією є впалювання алюмінію в напівпровідниковий елемент з метою підвищення якості плівки та міцності пластини. Операція здійснюється при режимах вакууму 3,5 * 10-3 мм рт ст., температура вплавлення 2500 С.
Контроль поверхні впаленого шару - за допомогою мікроскопа.
На рисунку 6 зображена технологічна схема процесу напилення приладу ДЛ553-2000.
2.4 Розробка комплекту технологічної документації процесу напилення
Комплект технологічної документації необхідний для організації вироб-ництва напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем. Він повинен містити:
-маршрутну карту;
-операційні карти;
-карти контролю;
-карти ескізів;
Підготовка елементу напівпровідникового до напилення
Напилення алюмінію
Контроль поверхні напиленого шару
Впалювання алюмінію в напівпровідниковий елемент
Контроль поверхні напиленого шару
Рисунок 6 - Технологічна схема процесу напилення приладу ДЛ553-2000
-відомість матеріалів;
-відомості обладнання, оснастки, тари;
-технологічну специфікацію;
-технологічні інструкції.
Маршрутна карта встановлює послідовність виконання технологічних, конт-рольних та транспортних операцій при виготовленні конкретних деталей, складан-ня виробу, цого упаковці. Крім найменування операції і короткого викладення її змісту в маршрутній карті вказується номер технологічного документу, де дається ретельне описання кожної операції з вказанням цаху і дільниці, де вона виконуєть-ся, перелічуються деталі, основні і допоміжні матеріали, норма їх витрат, облад-нання, а також виробничі розряди працівників, норми часу виготовлення тисячі ви-робів і їх розцінки.
Операційна карта містить описання операції виготовлення напівпровід-никових приладів та ІМС з вказанням переходів, прийомів, режимів обробки, техно-логічного оснащення, а також вимоги техніки безпеки і технологічної гігієни. Крім того, в операційній карті вказується порядок отримання заготовок і матеріалів, здачі обробленних деталей, зберігання невикористаних матеріалів, підготовки та прид-бання робочих місць. Операційна карта є основним технологічним документом і по-винна знаходитись на робочому місці.
Карти ескізів містять схеми виконуємих операцій, ескізи, таблиці та описання прийомів безпечного використання робіт, а також правильної організацій праці. Вони є додатком до операційних карт.
Відомість операцій і маршрутно-контрольна карта містять переліки і опи-сання операцій технологічного контролю, виконуємих при виготовленні кон-кретних виробів або їх деталей, зі вказанням засобів, їх методів контролю, і вимог до контролюємих параметрів. Відомість операцій звичайно доповнюється контроль-ними картами, в яких приводяться методики контролю і описання застосовуємих засобів.
Комплект технологічної документації зведено в додаток В.
2.5 Дослідження процесу створення металевих контактів на структурах приладу ДЛ553-2000
Метою експерименту є уточнення факторів або параметрів технологічного процесу, які забезпечують відтворюєме отримання алюмінієвої металізації. Цими факторами є :
1) відстань від тигля електронопроміневої гармати з розплавом алюмінію до напиляємого напівпровідникового елемента;
2) температура нагріву елемента перед напиленням;
3) струм променя та час напилення, а також обробка елемента перед напи-ленням;
4) температура впалювання напиленого шару.
Із-за обмеженої потужності електронопроменевої ґармати та часу її роботи, потрібну товщину металізації досягають за декілька процесів напилення без роз-герметизації. Як відомо, товщина напиленого шару тим більша, чим менша відста-нь тигля до напиляємой поверхні. Но, з іншого боку, при розташуванні декількох елементів на куполоподібний носій, із-за складного розподілу розпиляємого мета-лу по куті, при дуже близькому розташуванні купола відносно тигля, товщина металізації на бічних елементах виявляється суттєво нижче ніж на центральних. Тому доводиться свідомо піднімати у верх купол, понижуючи швидкість напилен-ня і, відповідно, збільшувати час напилення.
Відомо також, що при напилені металу на холодну пластину, товщина мета-лізації значно більша ніж при напилені на прогріту пластину, тому що відбиття металу від підложки підвищується з ростом температури. Но, з іншого боку, при напиленні на прогріту підложку, адгезія металу буде вище і кристалічна структура напиленого шару покращується.
Таким чином, з точки зору вище зазначеного, метою експерименту є оптимі-зація кожного з вище приведених факторів технологічного процесу для стійкого та оптимального процесу напилення.
Значення конкретних параметрів змінюється на малих партіях приладів в розиірі одного завантаження. Товщина напиленого шару визначається методом зва-ження на прецизійних вагах (ВЛА-200) з точністю зваження 0,1 мг.
Величина напруги замірялась на кожному з елементів після впалювання алю-мінію по стандартній методиці. Температура нагріву підложки визначалась непря-мим заміром за допомоги термопари ТХК. Відповідність показань термопари істи-нним значенням температури на під ложці досягалось зміною положення термопа-ри в просторі з перевіркою по контрольним точкам. Контрольними точками були точки 1830 (температура плавлення припою пос-61) та 2310 (температура плавлен-ня олова). Зразки розплавляємих металів мали вигляд правильного трикутника зі стороною 8 - 10 мм. та товщиною 100 мкм. (0,1 мм). Точність відповідності визна-чали по підплавленнюїх кутів.
Приведені в таблиці 6
Loading...

 
 

Цікаве