WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Мікросхеми пам'яті, ОЗП і ПЗП. - Реферат

Мікросхеми пам'яті, ОЗП і ПЗП. - Реферат


Реферат на тему:
Мікросхеми пам'яті, ОЗП і ПЗП.
План.
1. Мікросхеми пам'яті
2. ОЗП і ПЗП.
Мікросхеми пам'яті
Перевага пам'яті, зображеної на рис. 13, полягає в тому, що подібна структура застосовна при розробці пам'яті великого обсягу. Ми намалювали
схему 4x3 (для 4 слів по 3 біти кожне). Щоб розширити її до розмірів 4x8, потрібно додати ще 5 стовпчиків тригерів по 4 тригери в кожної, а також 5 вхідні і 5 вихідних ліній. Щоб перейти від розміру 4x3 до розміру 8x3, ми повинні додати ще чотири ряди тригерів але три тригери в кожному, а також адресну лінію А2. При такій структурі число слів у пам'яті повинне бути ступенем двійки для максимальної ефективності, а число битов у слові може бути кожним.
Оскільки технологія виготовлення інтегральних схем добре підходить для виробництва мікросхем із внутрішньою структурою повторюваної плоскої поверхні, мікросхеми пам'яті є ідеальним застосуванням для цього. З розвитком технології число битов, яких можна вмістити в одній мікросхемі, постійно збільшується. З появою більших мікросхем маленькі мікросхеми не завжди застарівають через компроміси між перевагами ємності, швидкості, потужності та ціни. Звичйно самі більші сучасні мікросхеми користуються величезним попитом отже, коштують набагато дорожче за 1 біт, чим мікросхеми невеликого розміру.
При будь-якому обсязі пам'яті існує кілька різних способів организації мікросхеми. На рис. 15 показані дві можливі структури мікросхеми в 4 Мбит: 512 Кх8 і 4096 Kxl. (Розміри мікросхем пам'яті звичайно даються в бітах, а не в байтах, тому тут ми будемо дотримуватися цих вимог) На рис.15, а можна бачити 19 адресних ліній для звертання до одному з байтів і 8 ліній даних для завантаження або зберігання обраного байта.
Зробимо невелике зауваження із приводу термінології. На одних виходах високу напругц викликає яка-небудь дія, на інші - низьке напруга.
Щоб уникнути плутанини, ми будемо вживати термін "встановилння сигналу", коли викликається якась дія, замість того щоб говорити, що напруга підвищується або знижується. Таким чином, для одних висновків установка сигналу значить установку на 1, а для інших - установку на 0.
Назви висновків, котрі встановлюються на 0, містять зверху риску.
Рис. 15. Два способи організації пам'яті обсягом 4 Мбит.
Сигнал CS установлюється на 1,а сигнал CS - на 0. Протилежний термін - "скинути".
Оскільки звичайно комп'ютер мстить багато мікросхем пам'яті, потрібний сигнал для вибору необхідної микросхеми, такий, щоб потрібна нам мікросхема реагувала на виклик, а інші немає.
Сигнал СS (Chіp Select - вибір елемента пам'яті) використається саме для цієї мети. Він установлюється, щоб запустити мікросхему. Крім того, потрібний спосіб відмінності зчитування від запису. Сигнал WE (Wrіte Enable - дозвіл запису) використається для вказівки того, що дані повинні записуватися, а не считуватись. Нарешті, сигнал ОЕ (Output Enable - дозвіл видачі вихідних сигналів) установлюється для видачі вихідних сигналів. Коли цього сигналу немає, вихід відєднаний від іншої частини схеми.
На мал. 15, 6 використається інша схема адресації. Мікросхема представляє собою матрицю 2048x2048 однобітних з, що становить 4 Мбит.
Щоб звернутися до мікросхеми, спочатку потрібно вибрати рядок. Для цього 11-бітний номер цього рядка подається на адресні висновки. Потім установлюється сигнал RAS (Row Address Strobe - строб адреси рядка). Після цього на адресні виходи подається номер стовпця й установлюється сигнал CAS (Column Address Strobe - строб адреси стовпця). Мікросхема реагує на сигнал, приймаючи або видаючи 1 біт даних.
Більші мікросхеми пам'яті часто виробляються у вигляді матриць mxn, звернення до яких відбувається по рядку й стовпцю. Така організація пам'яті скорочує число необхідних висновків, але, з іншого боку, сповільнює звертання до мікросхеми, оскільки потрібно два цикли адресації: один для рядка, а іншої для стовпця. Щоб прискорити цей процес, у деяких мікросхемах можна викликати адресу ряду, а потім кілька адрес стовпців для доступу до послідовним бітам ряду.
Багато років тому самі більші мікросхеми пам'яті звичайно були влаштовані так, як показано на рис. 15, б. Оскільки слова виросли від 8 до 32 битов і вище, використовувати подібні мікросхеми стало незручно. Щоб з мікросхем 4096 Kxl побудувати пам'ять із 32-бітними словами, потрібно 32 мікросхеми, що працюють паралельно. Ці 32 мікросхеми мають загальний обєм, 16 Мбайт.
Якщо використати мікросхеми 512 Кх8, то буде потрібно всього 4 мікросхеми, але при цьому обсяг пам'яті буде становити 2 Мбайт. Щоб уникнути наявності 32 мікросхем, більшість виробників випускають сімейства мікросхем з довжиною слів 1,4,8 і 16 битов.
ОЗП та ПЗП.
Всі види пам'яті, які ми розглядали дотепер , мають одну загальну властивість: в них можна записувати інформацію та зчитувати її. Така пам'ять називается ОЗП (оперативний запам'ятовувальний пристрій). Існує два типи ОЗП: статичне й динамічне. Статичне ОЗП конструюється з використанням D-тригерів. Інформація в ОЗП зберігається протягом усього часу, поки до нього подається живлення. Статичне ОЗП працює дуже швидко. Звичайний час доступу становить кілька наносекунд. Із цієї причини статичне ОЗП часто використається в якості кэш-памяти другого рівня.
У
Loading...

 
 

Цікаве