WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Детонометр: розробка конструкції - Дипломна робота

Детонометр: розробка конструкції - Дипломна робота

коефіцієнт А:
(2.30)
де m = 2 - коефіцієнт схеми, рівний числу імпульсів випрямленої напруги 2, с.320 .
2.4.1.4.7. Визначаємо розрахункові коефіцієнти B, D, F і H по знайденому значенню коефіцієнта А за допомогою графіків рис. 2.7 - рис. 2.10: В = 1,35; D = 1,925; F = 4,5; H = 40000.
?
Залежність коефіцієнта В від А при різних значеннях w
Рис. 2.7
Залежність коефіцієнта F від А при різних значеннях w
Рис. 2.8
Залежність коефіцієнта D від А при різних значеннях w
Рис. 2.9
Залежність коефіцієнта Н від А при m = 2
Рис. 2.10
2.4.1.4.8. Визначаємо уточнене значення Iпр.і.п [2]:
А 5А, (2.31)
Таким чином вентиль КД202Д поструму вибраний правильно.
2.4.1.4.9. Визначаємо електричні параметри трансформатора (габаритну потужність, напруги і струми в обмотках) з урахуванням отриманих у п. 2.4.1.4.7 розрахункових коефіцієнтів:
U2 = BUо = 1,35 27,53 = 37 В, (2.32)
А, (2.33)
А, (2.34)
Рг = 1,5Ро = 1,5UоIо = 1,5 27,53 0,5 = 20,65 В А, (2.35)
2.4.1.4.10. Робимо перевірку обраного діода по оберненій напрузі:
Uобр.і = 1,41U2 = 1,41 37 = 52 В 200В, (2.36)
Таким чином, вентиль КД202Д по оберненій напрузі обраний правильно.
2.4.2. Розрахунок напівпровідникового стабілізатора постійної напруги компенсаційного типу
Розрахунок робимо по книзі А. Б. Грумбіної "Електричні машини і джерела живлення радіоелектронних пристроїв"
Вихідні дані для розрахунку стабілізатора (рис. 2.11):
вхідна напруга Uвх = - 25 В;
нестабільність вхідної напруги Uвх=A2 В;
вихідна напруга Uвих = - 15В;
границі регулювання вихідної напруги від - 12 В до - 16 В;
коефіцієнт стабілізації Кст/500;
напруга джерела живлення базового ланцюга регулюючого транзистора Ео = - 30 В (введення Ео дозволяє одержати більший Кст);
максимальний струм в навантаженні Iн mаx = 1,5 А.
2.4.2.1. Визначення параметрів регулюючого транзистора VT1 і вибір типу транзистора:
а) максимальна напруга колектор - емітер:
Uке1 max = Uвх max - Uвих min = - 27 - (- 12) = - 15 В; (2.37)
б) максимальна потужність, разсіювана на транзисторі:
Рк1 max = Uке max Iн mаx = 15 1,5 =22,55 Вт, (2.38)
За даними розрахунку п. "а" і "б" вибираємо транзистор VT1, у якого: Uке max > Uке1 max; Iк mаx > Iк1 Iн max ;Рк max > Рк1 max.
Цій умові задовольняє транзистор КТ818Б із параметрами Uке max =
= 10 А; Рк max = - 60 Вт; h21е=20, [2].
2.4.2.2. Визначення параметрів опорного стабілітрона і вибір типу стабілітрона проводиться з урахуванням наступних положень [2].
У якості опорного стабілітрона застосовують стабілітрони з найменшими значеннями ТКН (температурний коефіцієнт напруги ) і rст (диференціальний опір стабілітрона) [3].
Крім того, для даної схеми стабілізатора опорна напруга стабілітрона повинна відповідати такій умові:
UопЈ Uвих min - (2 3) (2.39)
Підставляючи в цей вираз Uвих = - 12В, одержуємо Uоп = 10-9 В та в відповідності з наведеною рекомендацією вибираємо стабілітрон типу Д818Е з параметрами: Uст = Uоп = 8,55-9,45 В - напруга стабілізації;
Icт =3-33 мА - струм стабілізації; rст = 18 Ом ;ТКН = 60,09 мB/0С;
приймаємо Uоп = 9В; Icт.ном = 20 мА - номінальний струм стабілізації.
2.4.2.3. Визначення параметрів підсилювального транзистора VT2 і вибір типу транзистора проводиться після визначення Uке2 max по виразу:
Uке2 max Uвих max - Uоп = 16 - ( - 9) = - 7В. (2.40)
Виходячи з умови Uке max > Uке2 max вибираємо транзистор КТ501К із достатньо високим коефіцієнтом передачі струму h21е=80 - 240; параметри вибраного транзистора наступні: Uке max = - 45 В; Iк mаx =
= 300мА; Рк max = 350 мВт; h21е=80 - 240. Приймемо струм колектора транзистора Iк2 Iе2 = 10 мА = Iк mаx
2.4.2.4. Визначаємо опір баластового резистора:
Ом, (2.41)
2.4.2.5. Визначаємо потужність розсіювану на резисторі Rб:
Рб = (Іст.ном - Іе2)2·Rб = ((20 - 10)·10-3)2·600 = 0,006 Вт, (2.42)
Згідно [7], вибираємо резистор МЛТ-0,125-600 Ом±10%
2.4.2.6. Визначаємо опір резистора Rк, що встановлений в ланцюгу колектора підсилювального транзистора:
, (2.43)
де Іб1 max + Ік2 = ІRк - це струм, що протікає по резистору Rк, причому:
А = 71 мА (2.44)
Підставивши значення параметрів у вираз (2.43), отримаємомо:
Ом
2.4.2.7. Визначаємо потужність розсіювану на резисторі Rк:
Рк = (Іб1 max + Ік2)2·Rк = ((71 + 10)·10-3)2·173 = 1,14 Вт, (2.42)
Згідно [7], вибираємо резистор МЛТ-2-180 Ом±10%.
2.4.2.8. Визначаємо опори дільника R1 - R3
Визначення опорів дільника R1- R3 відбувається на базі рівнянь, записаних при таких умовах: вихідна напруга стабілізатора має найбільше значення (Uвих max) при крайньому нижньому положенні движка перемінного резистора R2; у крайньому верхньому положенні движка вихідна напруга мінімальна, тобто дорівнює Uвих min. Таким чином:
;
;
.
З цих рівнянь виводяться формули для розрахунку R1 - R3; при цьому значення струму дільника Iділ визначається в такий спосіб:
мА, (2.43)
кОм, (2.44)
кОм (2.45)
кОм, (2.46)
2.4.2.9. Визначаємо потужність розсіювану на резисторах R1 - R3:
Р1 = Іділ2·R1 = (2,5·10-3)2·1200 = 0,0075 Вт, (2.47)
Р2 = Іділ2·R2 = (2,5·10-3)2·1600 = 0,01 Вт, (2.48)
Р3 = Іділ2·R3 = (2,5·10-3)2·3600 = 0,023 Вт, (2.49)
Згідно [7], вибираємо резистори: МЛТ-0,125-1200 Ом±10%;
МЛТ-0,125-1600 Ом±10%; МЛТ-0,125-3600 Ом±10%.
2.4.2.10. Визначаємо коефіцієнт стабілізації напруги:
, (2.50)
де rк1 = 40.103 Ом - опір колекторного переходу (колектора) VT1 відповідно до [11];
rе2 = 2,6 Ом - опір емітера VT2, відповідно до [11];
rб2 = 500 Ом - опір бази VT2, відповідно до [11].
>500.
3. КОНСТРУКТОРСЬКИЙ РОЗДІЛ
3.1 Обгрунтування та опис вибраної конструкції
(Р-4260.024.001СК)
При конструюванні радіоелектронної апаратури та приладів в основному використовується функціонально-блочний метод, який дозволяє підвищити надійність апаратури, строки та вартість проекту, ступінь використання стандартизованих та уніфікованих вузлів та елементів. Конструкції дозволяють автоматизувати та максимізувати процеси настроювання та монтажу апаратури.
Конструювання радіоелектронної апаратури створюється на базі єдиних уніфікованих конструктивних елементів (базових конструкцій), які забезпечують високий рівень уніфікації. Базові конструкції (модулі) призначені для розташування та комтюновки електричного обладнання радіоелектронної апаратури.
Для
Loading...

 
 

Цікаве