WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Герметизація мікросхем - Курсова робота

Герметизація мікросхем - Курсова робота

Кристалоносії (КРН) – квадратні або прямокутні корпуси, які мають J-подібні виводи, розміщені з чотирьох сторін, і призначені для технології поверхневого монтажу кристалоносіїв ТПМК. За внутрішньою структурою та використовуваними матеріалами КРН не відрізняються від корпусів DIP. Одним із різновидів КРН є кристалоносії з виводами у вигляді контактних площинок, розміщених на бічних сторонах корпусу. Ці корпуси називають безвивідними. Безвивідні КРН займають на платі площу в 6 разів меншу, а їхня маса в 10 разів менша за масу корпусів DIP. Корпуси КРН є найпоширенішими для спеціального застосування НВІС. Вони призначені для безпосереднього монтажу на поверхню паянням або для установлення на панельки. Складаючи НВІС з кількістю виводів понад 100, КРН замінюють матричними корпусами (МК). Штиркові виводи або контактні площинки розміщені на основі кристалоносію із кроком 2, 5 мм у вигляді матриці виводів, завдяки чому при однаковій кількості виводів основа кристалоносію за площею менша від площі КРН. Матричні корпуси є найпридатнішими для НВІС з кількістю виводів 300 та більше [2].

Стандартні корпуси для герметизації напівпровідникових інтегральних мікросхем мають круглу (модифікований варіант корпусу транзистора) або прямокутну форму. Для гібридних інтегральних мікросхем найчастіше використовуються квадратні і прямокутні корпуси чи корпуси типу "пенал" з відводами, перпендикулярними або паралельними до площини основи корпусу.

Круглі корпуси типу ТО-5 відзначаються високою надійністю, перевіреною протягом тривалого часу зберігання і експлуатації. Корпус ТО-5 має невеликі розміри (діаметр 9.6 мм, висоту 4.6 мм), а кількість відводів – до 12. Кришка корпусу металічна. У випадку застосування круглих корпусів, зварювання кришки до основи здійснюються в основному холодним або електроконтактним способом. Недоліком таких корпусів є невисокий коефіцієнт заповнення об'єму [3].

Виготовляється велика номенклатура корпусів для ІМС. Усі вони стандартизовані і тому наперед визначають правила встановлення та монтажу ІМС на друкованих платах. Отже, крім прямого призначення, корпус, ІМС повинен мати конструктивні характеристики, особливо за габаритними розмірами і розміщенням виводів.

Промисловість випускає корпуси ІМС круглої та прямокутної форми. Корпус круглої форми – це модифікований металоскляний корпус транзисторів зі збільшеною кількістю виводів. Спочатку кількість виводів було збільшено до 8, а потім – до 12.

Прямокутні корпуси поділяють на дві основні групи: з планарними виводами, розміщеними в площині корпусу, та зі штирьовими виводами. У поперечному розрізі виводи можуть бути круглої, квадратної або прямокутної форми. Велику кількість відводів (до 14) і більший коефіцієнт заповнення об'єму мають прямокутні плоскі корпуси з відводами [3], розміщеними горизонтально чи вертикально, що відображено на рис 2.6.

Рис 2.6 Прямокутні плоскі корпуси [3]:

а – з горизонтальними виводами;

б – з вертикальними виводами.

Плоскі прямокутні корпуси бувають металосклянні, скляні, керамічні і пластмасові. Плоскі металоскляні корпуси мають розміри 9.8 мм, висоту 2 мм, 14 відводів при кроці 0.625 мм. Для герметизації прямокутних корпусів застосовується шовне лазерне, електронно-променеве, ультразвукове чи аргонно-дугове зварювання [3].

Мікросхеми в круглих і прямокутних корпусах зі штирьовими виводами встановлюють на друкованих платах, запаюючи виводи в отворах плат (Рис 2.5, а, 2.б, в). Плати, на які встановлюються корпуси з планарними виводами, не потребують в них отворів: планарні виводи зверху припаюють до контактних площинок плат (Рис 2.5, г), тому планарні виводи можна легко відпаювати під час ремонтних робіт. Мікросхеми з такими виводами можна розміщувати з обох боків друкованої плати.

Кристали мікросхем високого ступеня інтеграції із числом елементів понад (ВІС) мають велику кількість виводів, що обумовлюють особливості конструкції корпусу. Для розміщення великої кількості виводів із встановленим кроком металокерамічним і пластмасовим корпусам ВІС надають подовженої форми [1].

Велика кількість виводів у корпусі ВІС, а також їхня недостатня механічна міцність збільшують імовірність пошкодження виводів у процесі виробництва та під час транспортування і встановлення мікросхеми в радіоелектронну апаратуру. Через це почали виготовляти корпуси для ВІС без штирьових або планарних виводів (Рис 2.5, д).

За габаритними та приєднувальними розмірами подібні за конструкцією корпуси поділять на типорозміри, кожному з яких присвоюють шифр. В умовне позначення корпусів входять також дві цифри, які відображають кількість виводів. Інтегральні схеми однієї серії монтуються в корпусах одного типу.

Основними напрямками у розвитку корпусів слід вважати зменшення кроку між виводами до 0,625 мм, зменшення довжини виводів, розробку корпусів для технології поверхневого монтажу кристалів (ТПМК). Для ТПМК розроблено мініатюрні корпуси типу SO. За зовнішнім виглядом вони нагадують корпус типу DIP, але коротші та нижчі за нього, мають L-подібні виводи, які можуть підгинатися під корпус. Застосовуючи корпуси SO замість DIP, отримують 30-50% економії площі друкованої плати, вартість зменшується приблизно в 4 рази, об'єм – у 8 разів, маса – у 2-5 разів [2].

3. МЕТОДИ ГЕРМЕТИЗАЦІЇ

3.1 Спаювання

Це технологічна операція з'єднання двох металевих деталей, які перебувають у твердому стані, з допомогою розплавленого матеріалу – припою [3]. Процес спаювання відбувається при нагріванні припою до температури плавлення. Розплавлені частинки припою дифундують у з'єднувальні матеріали, розчиняють їх і при охолодженні утворюють твердий розчин.

Паяння застосовують переважно при монтажі дротом безкорпусних ІМС, напівпровідникових приладів і компонентів на плату в ГІС і МЗб, а також при монтажі кристалів зі стовпчиковими, кульковими і балковими виводами. Паяння виконують без флюсів припоями ПОС-61, ПСр-2,5 та іншими з додаванням до них порошків матеріалів, з яких виготовлена контактна площинка [2].

У деяких випадках складові частини припою можуть, вступати в хімічну реакцію зі з'єднувальними матеріалами утворюючи інтерметалічні сполуки. При охолодженні вони кристалізуються і за рахунок металічного зв'язку з іншими елементами утворюється досить міцне з'єднання. Спаювання в мікроелектроніці застосовується рідко, оскільки цей процес пов'язаний з нагріванням з'єднувальних матеріалів, що негативно впливає на параметри мікросхем. Існують низькотемпературні і високотемпературні припої. Низькотемпературні припої - це ПОС-40, ПОС-61, ПОВн-0,5, а високотемпературні (вище 350 С) - ПСр-45, ПСр-72 [3].

Для поліпшення змочування з'єднувальних матеріалів припоєм використовуються флюси на основі каніфолі марок ФКСп, ФПЕт, ФКТС і на основі хлористого цинку ФХЦ. Але флюси дуже забруднюють поверхню мікросхеми або залишаються в невеликих кількостях всередині корпусу після його герметизації. Тому флюси застосовують в рідкісних випадках, а спаювання, як правило, проводять у відновлюваному (водень, формідгаз) чи інертному (аргон, криптон, гелій) середовищі.

Мікроспаювання мікросхем використовується для приєднання відводів до контактних площинок, а також герметизації кришки до основи корпусу. Найчастіше спаювання застосовують для монтажу елементів на плати і дуже рідко при складанні гібридних інтегрованих та напівпровідникових мікросхем. Виникає питання, що ж обмежує застосування паяння при складанні напівпровідникових мікросхем? Це, по-перше, велика тривалість процесу, яка викликає додатковий вплив температури на параметри елементів ІМС. По-друге, вибраний припой не повинен помітно розчиняти матеріал плівкового контакту і утворювати крихкі інтерметалічні сполуки [3]. При складанні ГІМС для підвищення міцності з'єднання збільшують площу паяного контакту, іноді дротики закріплюють спеціальними затискачами чи пропускають дротяні з'єднання через наскрізні отвори у підкладці.

При під'єднанні схеми до контактних площадок важливимиє форма інструменту та вибраний метод нагріву припою.Найчастіше інструментом є, так званий, "розщеплений електрод",а нагрівання здійснюється з допомогою струменя гарячогоінертного газу або сфокусованого інфрачервоного випромінювання [3]. Останній метод є безконтактним і забезпечує високу продуктивність спаювання. Таким методом забезпечують складання гібридних тонкоплівкових мікросхем.

Loading...

 
 

Цікаве