WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Схемотехніка тригерів на дискретних та інтегральних елементах - Курсова робота

Схемотехніка тригерів на дискретних та інтегральних елементах - Курсова робота

більшим і VТ2 відкривається. При цьому відмикання VТ2 приводить до більше глибокого запирання VТ1.

Таким чином, після закінчення імпульсу, що запускає, тригер переходити в стан, протилежно стану до запуску.

Варто помітити, що при РБЗ у схемі тригера практично відсутній регенеративний процес, так як немає стану, при якому обоє транзистора були б відкриті й перебували в активній області.

Діод VD3 у схемі РБЗ використається для прискорення процесу розряду Ср і відновлення вихідного стану ланцюга Cр - Rр.

Із приходом наступного імпульсу, що запускає, процеси повторюються, але тепер через те, що , а , після закінчення імпульсу, що запускає, відбудеться перекидання з відмиканням VТ1 і запиранням VТ2 .Таким чином, із приходом кожного імпульсу запуску відбувається нове перекидання тригера.

Особливості схеми РБЗ.

  1. Прискорюючі конденсатори при РБЗ окрім прискорення процеса перекидання тригера відіграють також роль запам'ятовування попереднього стану тригера на час, на протязі якого обидва транзистора закриті під дією запускаючого імпульсу.

Дійсно при відсутності прискорюючих конденсаторів обидва транзистора після закінчення запускаючого імпульсу з'являються підключеними своїми базами до точки – Е безпосередньо, а не через прискорюючі конденсатори. По тому, який із транзисторів відкриється, буде знаходитися асиметрія схеми тригера, а не його попереднім станом, тобто нормальний симетричний запуск не буде реалізовуватися.

  1. Додатній перепад напруги, на колекторі закритого транзистора при перекиданні тригера маючий меншу тривалість, порівняно з від′ємним перепадом, звичайно використовується в якості вихідної напруги тригера. В схемі з БЗ він буде затриманим на час дії запускаючого імпульсу, необхідне розсмоктування заряду в базі насиченого транзистора і його запирання. Тривалість запускаючого імпульсу повинна вибиратися вищою тривалості розсмоктування і запирання при найгіршому поєднанні параметрів.

  2. майже повна відсутність при РБЗ процес резенерації приводить до того, що процес розсмоктування й запирання насиченого транзистора проходить довше, чим в схемі роздільного запуску, а це знижує бистродію тригера.

Рахунковий колекторний запуск (РКЗ)

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

Мал. 10.

Схема тригеру з РКЗ

В схемі РКЗ запускаючі імпульси через відсікаючі діоди VD1 й VD2 подаються на колектори транзистора й через ємності прискорюючих конеденсаторів C1 й C2 прикладаються до баз транзистрів.

Нехай в початковому стані VТ1 відкритий і насичений, а VТ2 – закритий, UC1 приблизно дорівнює EK; UC2 також приблизно дорівнює 0.

При цьому напруги на відсікаючих діодах VD1 й VD2 рівні напругам Urk1 й Urk2, в результаті, вказанного початкового стану транзисторів VТ1 та VТ2 діод VD1 закритий майже повною напругою EK, а діод VD2 знаходиться на межі запирання (Urk20).

При подачі додатнього запускаючого імпульсу за амплітудою E m меншою EK відкривається тільки діод VD2, а діод VD1 залишиться закритим. Запускаючий імпульс струму через розподільчу ємність CR , VD2, C1 пройде на базу відкритого VТ1 й після розсмоктування в його базі й процеса регенерації виникне перекидання тригера. Транзистор VТ1 закривається, а VТ2 відкривається. Після запирання VТ1 зростаючий струм колектора VТ2, котрий раніше замикався через C1 й масий опір ділянки Б-Е відкритого VТ1, буде тепер проходити через Rk2, зростаючи напруги на ньому . Коли напруга Urk2 стане більшою амплітуди запускаючих імпульсів E m, діод VD2 закриється і відключить тригер відсічки запуску. Тому тривалість запускаючих імпульсів при даному способі запуску повинна лише з невеликим запасом (на найгірший випадок) суму часу розсмоктування й регенерації (Троз+Трег).

Особливості схеми РКЗ.

  1. Тривалість запускаючих імпульсів повинна бути не більшою tіз= tоз+tег, так як після процесу регенерації відсікаючий діод, через який ЗІ подається на базу відкритого транзистора, запирається й в подальшому застосування ЗІ немає необхідності.

  2. Дана схема до так називаємих схемам з керуючим запуском в ній ЗІ з допомогою комутуючих (відсікаючих діодів) подається лише на базу відкритого та насиченого транзистора й одразу визиває ті ж процеси, що й при роздільному запусу. У порівнянні зі схемою РБЗ в даній схемі відсутня затримка на час дії ЗІ й має місце регенеративний процес.

  3. Прискорюючі конденсатори тут, як і в схемі РБЗ запам′ятовують попередній стан тригера на час дії ЗІ. Дійсно, при відсутності прискорюючих конденсаторів закритий діод не утримувався б в закритому стані при часі дії ЗІ, так як ніщо не заважало б бистрому зменшенню потенціала колектора транзистора після його запирання. А при двох відкритих діодах було б неможливим нормальне спрацювання схеми.

Висновок

В лекції розглянуті фізичні процеси в схемі статичного тригера на БТ, тобто умови його нормального функціонування й їх виконування в практичних схемах.

Проведений аналіз різних схем запуску тригера, роздільного, імпульсами різної полярності й розрахункового з розсмоктуванням принципу роботи й особливостей кожної з них має прикладний характер. Розглянуті в лекції проблеми створюють фундамент для вивчення таких пристроїв, як відсічки та дільників числа імпульсів, регістрів, елементи пам'яті й інші.

Література

  1. Гусев В.И. Основы импульсной и цифровой техники. М. Сов. радио, 1975г.

  2. Брамер И.В. Импульсная техника, М. Сов. радио, 1986г.

Loading...

 
 

Цікаве