WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Електроніка та мікропроцесорна техніка - Курсова робота

Електроніка та мікропроцесорна техніка - Курсова робота

Інструкційна картка №12 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни "Основи електроніки та мікропроцесорної техніки"

І. Тема: 2 Електронні прилади

2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми

Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.

ІІ. Студент повинен знати:

  • Конструкції гібридних ІМС;

  • Методи створення;

  • Галузь застосування гібридних ІМС.

ІІІ. Студент повинен уміти:

  • Розрізняти різні типи гібридних ІМС.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.

V. Література: [1, с. 60-62].

VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

  1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем. маркування гібридних мікросхем.

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.

VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:

  1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?

  2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Підготував викладач: Бондаренко І.В.

Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми

План:

  1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем.

Література

1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем

Гібридні ІМС складаються з таких конструктивних вузлів:

1) ізоляційна основа із склопластику або керамічна, на поверхню якої у вигляді плівок нанесені резистори, конденсатори невеликої ємності, котушки невеликої індуктивності, електричні з'єднання;

2) дискретні безкорпусні НП прилади;

3) дискретні конденсатори великої ємності, трансформатори, дроселі;

4) ізоляційний корпус, що забезпечує герметизацію усіх елементів ІМС і має вивідні контакти.

Рис. 1 – Конструкція плівкових резисторів з малим (а) і великим (б) опором

На рис. 1 показано конструкцію плівкових резисторів з малим і великим опором. Тонку плівку з чистого хрому, ніхрому або танталу наносять безпосередньо на ізоляційну основу. У такий спосіб одержують резистори з опором від 0,001 до десятків кілоом. Щоб одержати більш високоомні резистори (до десятків мегаом), використовують металодіелектричні суміші (наприклад, хром та монооксид кремнію).

Рис. 2. - Конструкція плівкового конденсатора

На рис. 2 зображена конструкція плівкового конденсатора. Нижня та верхня обкладки конденсатора 2 є тонкими плівками із міді, срібла або золота. Діелектриком 1 є плівка із силікату алюмінію, двоокисиду титану або кремнію. Розміщені вони на діелектричній основі 3.

Ємність таких конденсаторів може бути від десятих часток мікрофарад до десятків тисяч мікрофарад.

Провідники виконують у вигляді тонкої (1 мкм) плівки із золота чи міді з підшарком нікелю або хрому.

Дискретні елементи із гнучкими виводами (золотий дріт діаметром 30 – 50 мкм) приєднується до плівкової мікросхеми пайкою або зваркою.

Електронні пристрої на гібридних ІМС можуть мати щільність монтажу до 60 – 100 елементів на 1 см3. За такої щільності об'єм пристрою, що має 107 елементів, може складати 0,1–0,5 м3, а середній час безвідмовної роботи - 103–104 годин і більше.

На відміну від гібридних ІМС, напівпровідникові виконуються на основі кристалу НП, де окремі його області виконують ролі транзисторів, діодів, конденсаторів, резисторів і т. ін., які з'єднуються за допомогою алюмінієвих плівок, що наносяться на поверхню кристалу.

Електронні пристрої на напівпровідникових ІМС можуть мати щільність монтажу до 500 елементів у 1 см3 і цей параметр з року в рік зростає.

Контрольні запитання:

  1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?

  2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?

Інструкційна картка №13 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни "Основи електроніки та мікропроцесорної техніки"

І. Тема: 2 Електронні прилади

2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми

Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.

ІІ. Студент повинен знати:

  • Типи безкорпусних напівпровідникових приладів;

  • Способи їх під'єднання.

ІІІ. Студент повинен уміти:

  • Класифікувати безкорпусні напівпровідникові прилади.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.

V. Література: [2, с. 162-163].

VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

  1. Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.

VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:

  1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?

  2. Які існують способи під'єднання виводів до контактних майданчиків?

  3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Підготував викладач: Бондаренко І.В.

Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми

План:

  1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади

Література

1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади

У гібридних інтегральних мікросхемах як активні елементи застосовують дискретні напівпровідникові прилади. За способом герметизації вони діляться на безкорпусні і корпусні. Оскільки безкорпусні прилади мають малі габарити і масу, застосування їх в гібридних інтегральних мікросхемах слід вважати найбільш доцільним і перспективним.

За способом монтажу в мікросхему безкорпусні напівпровідникові прилади можна розділити на дві групи: прилади з гнучкими виводами і прилади з жорсткими об'ємними виводами.

На мал. 8.4 показана одна з типових конструкцій безкорпусного приладу (діодної матриці) з гнучкими виводами. Діаметр дротяних виводів складає зазвичай 30-40 мкм. Виводи до контактних майданчиків під'єднуються різними методами, головними з яких є термокомпресійний і ультразвуковий. Метод термокомпресії заснований на одночасній дії тепла і тиску на область контакту. Метод ультразвукової зварки заснований на одночасній дії коливань ультразвукової частоти, збуджених в зварюваних деталях, і тиску в області зварки. Вібрації високої частоти, руйнуючи плівку оксиду на поверхні розділу металів в області зварки, сприяють підвищенню якості зварного з'єднання.

Мал. 8.4. Діодна матриця з гнучкими виводами

Мал. 8.5. Схема установки транзистора з жорсткими сферичними виводами: 1 – вивід бази; 2 – вивідна колекторі; 3- вивід емітера

Недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів з гнучкими виводами полягає в трудності автоматизації процесів установки приладів в мікросхему. Тому при збірці активних елементів широко використовуються прилади з жорсткими виводами. Для них характерна відсутність сполучних провідників, що дозволяє автоматизувати процес зварки мікросхем і підвищити надійність з'єднань. На мал. 8.5. схематично показана структура установки транзистора з жорсткими сферичними (кульковими) виводами. Як матеріал виводів застосовують мідь і срібло. Для запобігання дії зовнішніх чинників кристали напівпровідника в безкорпусних приладах покривають спеціальними захисними покриттями (лаки, емалі, смоли, компаунди і ін.).

Контрольні запитання:

  1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?

  2. Які існують способи під'єднання виводів до контактних майданчиків?

  3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?

Інструкційна картка №14 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни "Основи електроніки та мікропроцесорної техніки"

І. Тема: 2 Електронні прилади

2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми

Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.

ІІ. Студент повинен знати:

  • Правила маркування електровакуумних та іонних приладів;

  • Область застосування приладів.

ІІІ. Студент повинен уміти:

  • Розшифровувати умовні позначення ламп.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.

V. Література: [4, с. 214-215].

VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

  1. Маркування напівпровідникових інтегральних мікросхем.

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.

Loading...

 
 

Цікаве