WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Розподіл логічних ІМС за схемотехнічними ознаками - Реферат

Розподіл логічних ІМС за схемотехнічними ознаками - Реферат

Найповніший функціональний склад мають серії К561, 564, К176. Перші дві серії близькі за складом та параметрами (див. табл.1). Мікросхеми вказаних серій працездатні при напругах живлення від 3 до 15В. Ця особливість вказаних ІМС дозволяє суттєво знизити вимоги до джерел живлення по відношенню до їх потужності та якості фільтрації і за рахунок цього отримати значний виграш в масі та розмірах цифрових пристроїв. Деякі серії, наприклад, 164, К176, вимагають напруги живлення 9В, але вони також спроможні праювати при зміні напруги живлення в значних межах.

Порівняльні характеристики деяких параметрів вказаних типів та серій ІМС наведено в таблиці 1.

Таблиця 1 Порівняльні характеристики ІМС різних серій

Тип логіки

Серія ІМС

,нс

,мВт

ЕЗЛ

К1500

-4.5

-1.03

-1.61

0.1

1.4

16

К500

-5.2

-0.98

-1.63

0.1

2.9

34

ТТЛШ

К1531

5

2.7

0.5

0.5

3.8

2.1

К531

5

16

К1533

12

2.4

К555

20

7.5

КМОН

К176

9

7.7

0.5

0.9

200

10-3

К561

5*

4.99

0.01

2.5

160

10-5**

К564

5*

4.99

0.01

2.5

160

10-5**

ТТЛ

К131

5

2.4

0.4

0.4

11

40

К155

19

25

К134

100

2

* Зберігають працездатність при зміні напруги живлення від 3 до 15В.** Не більше 0.1мВт на частоті 1МГц.

Одним з перспективних напрямків розвитку цифрових пристроїв є використання нових схемотехнічних та технологічних принципів формування функціональних структур на базі інтегрально-інжекційної логіки (ІІЛ, або І2Л). Мікросхеми ІІЛ характеризуються низьким енергоспоживанням (менше 1мкВт на логічний елемент), вимагають низьковольтного джерела живлення, мають малий логічний перепад та низьку завадостійкість. Завдяки невеликій потужності споживання та відсутності додаткових резисторів і інших компонентів, в цих схемах вдається реалізувати високу густину розміщення приладів у кристалі, тобто високий рівень інтеграції. Разом з цим, присутні в елементів ІІЛ особливості не дозволяють їх використовувати у звичайному варіанті конструктивного виконання логічних ІМС, оскільки необхідні спеціальні міри щодо їх узгодження з ІМС інших класів та щодо захисту їх від завад. Тому основною областю застосування технології ІІЛ є ІМС мікропроцесорів, ІМС пам'яті та інших складних функціональних вузлів. Такі ІМС, в основному, складаються з схем ІІЛ, але по периферії кристалу містять елементи ТТЛ, або ТТЛШ. Тому такі ІМС, за зовнішніми електричними характеристиками не відрізняютья від ІМС ТТЛ або ТТЛШ і можуть знаходити сумісне використання.

В деякі серії входять ІМС на МДН-транзисторах з каналами одного типу провідності: або електронної, або диркової. Ряд серій містить в основі елементи діодно-транзисторної логіки (ДТЛ): К511, К514, К523. Мікросхеми цих серій мають підвищену завадостійкість та відповідну область застосування, наприклад, в електронному обладнанні станків з числовим програмним управлінням та ін.

Крім вказаних, ще можливе застосування мікросхем резистивно-транзисторної логіки (РТЛ). Ці мікросхеми є найпершими розробками. Вони володіють високою завадостійкістю та прийнятною розсіюваною потужністю. Характеризуються відносно низькою швидкодією і на сучасному етапі розвитку мікросхемотехніки практично не знаходять застосування через наявність великої кількості резисторів і конденсаторів, які займають великі площі в кристалі. Ці ІМС, в основному, виготовлялись за гібридною технологією. Серії РТЛ: К217, К218 та інші.

В таблиці 2 наведено результати розподілу за рангами основних параметрів різноманітних логічних елементів; при цьому ранг 1 відповідає найкращому значенню параметру, а ранг 10 - найгіршому.

Таблиця 2 Розподіл за рангами логічних елементів

Тип логічного елемента

Швидкодія

Розсіювана потужність

Розгалуження за входом

Завадостійкість

Степінь генерації завад

РТЛ

5

6

5

10

2

ДТЛ

7

6

5

9

2

ТТЛ

3

6

5

5

9

p-МДН

10

2

2

3

2

n-МДН

8

2

2

4

2

КМОН

9

1

1

1

2

ТТЛШ

2

8

5

5

9

ІІЛ

5

4

5

5

2

ЕЗЛ

1

10

2

4

1

Використана література:

  1. Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978.

  2. Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975.

  3. Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.

  4. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.

  5. Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982.

  6. Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982.

  7. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.

Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.

Loading...

 
 

Цікаве