WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Випрямляючі діоди - Реферат

Випрямляючі діоди - Реферат

Реферат на тему:

Випрямляючі діоди

Основні вимоги до випрямляючих діодів

Випрямляючий діод призначений для перетворення змінної напруги в постійну. Ідеальний випрямляч повинен при одній полярності струм пропускати, а при іншій полярності - не пропускати. Властивості напівпровідникового діода є близькими до властивостей ідеального випрямляча, оскільки його опір в прямому напрямку на некілька порядків відрізняється від опору в зворотньому. До основних недоліків напівпровідникового діода потрібно віднести: при прямому зміщенні - наявністье області малих струмів на початковій ділянці ВАХ та кінцевого опрру товщини rs ; при зворотньому - наявність пробою.

При електротехнічному аналізі схем з діодами окремі гілки ВАХ подають у виді прямих ліній, що дозволяє подати діод у виді різних еквівалентних схем, див. рисунок внизу зліва. Вибір тієї чи іншої схеми заміщення діода визначається конкретними умовами аналізу та розрахунку пристрою, що містить діоди.

Розглянемо роботу діода на активне навантаження, відповідна схема показана на рисунку нижче. Струм через діод описується його вольтамперною характеристикою iд = f(uд), струм через опір навантаження, оскільки з'єднання послідовне, буде рівий струмові через діод iд = iн = i та для нього буде справедливим співвідношення iн = (u(t) - uд)/Rн. На рисунку в одному масштабі показані лінії, що описують обидві ці функціональні залежності: ВАХ діода та навантажувальну характеристику.

Як видно з рисунку, чим крутіша характеристика діода і чим менша зона малих струмів ("п'ятка"), тем є кращими випрямляючі властивості діода. Заходження робочої точки в предпробійну ділянку викликає не тільки до виділення на діоді великої потужності та можливого його рунування, але і до втрати випрямляючих властивостей.

Конструкції діодів

Способи створення pn-переходу

При сплавній технології виготовлення діода чи транзистора, електронно-дірковий перехід створюється на межі розділу кристалу та ре-кристалізованої області, в яку проводилось вплавлення, див. нижній рисунок (а). На наступних рисунках (б) та (в) показані різні способи виготовлення PN переходу шляхом дифузії акцепторної домішки в кристал N-типу.

На наступному рисунку показаний приклад застосування планарної технології для виготовлення транзистора. Ця технологія отримала широке розповсюдження і, в теперішній час, широко використовується не тільки для діодів та транзисторів, але і для виготовлення інтегральних схем.

Тепловий опір напівпровідникових приладів.

Потужність, що виділяється на напівпровідниковому приладі викликає його розігрів. Для характеристики розігріву вводять поняття теплового опору Rт [o/Вт]

Tп - температура PN переходу, Тс - температура навколишнього середовища

Величина Rт залежить від конструкції приладу.

На нижньому рисунку наведені приклади конструкцій діодів з різним тепловим опором:

(зліва - 1, 2 - малої потужності) Rт = (100-200)°/Вт,

(справа - 3 - середньої потужності) Rт = (1-10)°/Вт.

Використана література:

  1. Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978.

  2. Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975.

  3. Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.

  4. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.

  5. Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982.

  6. Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982.

  7. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.

Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.

Loading...

 
 

Цікаве