WWW.REFERATCENTRAL.ORG.UA - Я ТУТ НАВЧАЮСЬ

... відкритий, безкоштовний архів рефератів, курсових, дипломних робіт

ГоловнаТехнічні науки → Напівпровідникові прилади - Реферат

Напівпровідникові прилади - Реферат

Реферат на тему:

Напівпровідникові прилади

Класифікація напівпровідникових приладів

Напівпровідникові прилади можна розділити на дві великі групи: біполярні та уніполярні. До біполярних приладві відносяться: діоды з PN переходом, біполярні транзистори, тірістори. До уніполярних відносяться: діоди з контактом метал-напівпровідник, діоди Ганна, польові транзистори. Крім цього окрему групу складають прилади, в яких використовуються об'ємні властивості матеріалів: термістори, фоторезистори, варістори та ін.

Біполярні напівпровідникові прилади

Основні рівняння, що використовуються для аналізу напівпровідникових приладів

Для густини струму:

Рівняння неперервності:

Ліва частина рівняння неперервності характеризує зміну концентрації з часом, в правій частині рівняння перший елемент характеризує генерацію, другий рекомбінацію і третій зміну концентрації носіїв заряду в розглянутому об'ємі за рахунок зовнішніх потоків.

Напівпровідникові діоди

Електронно-дірковий перехід

Розглянемо напівпровідниковий кристал, одна область якого легована акцепторною домішкою, інша - донорною, з різкою межею між ними (PN-перехід).

На місці контакту P та N областей виникне зустрічна дифузія електронів та дірок в сусідню область. Вихід з прикотнтактної області вільних носіїв заряду викличе порушення електронейтральності. В приконтактній P-області виникне незкомпенсований від'ємний заряд іонізованих акцепторів, в приконтактній N області виникне додатній заряд іонізованих донорів. Утворення подвійного шару просторового заряду створить внутрішнє електричне поле і, відповідно потенціальний бар'єр, який буде перепоною для дифузії.

Розрахунок контактної різниці потенціалів. Залежнвсть граничної концентрації носіїв заряду від зовнішнього зміщення.

На нижній картинці показано енергетичні діаграми для P та N областей "до контакту" (зліва) і "після контакту" (справа). Фp та Фn - термодинамічні роботи виходу для "Р" та "N" областей, qUк - величина потенційного бар'єру, який виникає на межі PN-переходу.

Використовуючи зонну діаграму для PN-переходу, можна отримати:

Відомо, що:

Звідки:

а оскільки:

Таким чином:

Для концентрацій на межі області просторового заряду (ОПЗ):

Використана література:

  1. Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978.

  2. Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975.

  3. Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.

  4. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.

  5. Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982.

  6. Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982.

  7. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.

Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.

Loading...

 
 

Цікаве